失效分析探針臺(tái) |
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規(guī)格 |
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FA8 |
FA8-SC |
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外形 |
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960mm長(zhǎng)*850mm寬*1500mm高 |
880mm長(zhǎng)*860mm寬*1550mm高 |
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重量 |
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約260KG |
約280KG |
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電力需求 |
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220VC,50~60Hz |
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樣品臺(tái) |
尺寸 |
8英寸,可360度旋轉(zhuǎn) |
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行程 |
X-Y行程8*8英寸 |
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移動(dòng)精度 |
1um |
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樣品固定方式 |
真空吸附 |
真空吸附 |
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溫控范圍 |
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﹣80~200℃ |
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快速拉出 |
/ |
有 |
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特殊運(yùn)用 |
電學(xué)獨(dú)立懸空,可作為背電極使用 |
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針座平臺(tái) |
規(guī)格 |
U型平臺(tái),最多可放置10個(gè)針座 |
O型平臺(tái),最多可放置12個(gè)針座 |
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行程&調(diào)節(jié)方式 |
平臺(tái)可以快速升降,行程6mm并帶自動(dòng)鎖定功能; |
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光學(xué)特性 |
顯微鏡行程 |
X-Y軸行程2英寸*2英寸,Z軸:50.8mm |
X-Y軸行程1英寸*1英寸,Z軸:50.8mm |
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放大倍數(shù) |
20~4000X |
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鏡頭切換時(shí)操作 |
快速傾仰/氣動(dòng)升降 |
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CCD像素 |
50W(模擬)/200W(數(shù)字)/500W(數(shù)字) |
50W(模擬)/200W(數(shù)字)/500W(數(shù)字) |
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激光特性 |
波段 |
波長(zhǎng)可選擇1064/532/355/266nm波段 |
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功率 |
輸出功率2.2mJ/pulse(可升級(jí)) |
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微加工能力 |
可加工材質(zhì):Cr/Al/ITO/Ni/TFT/RGB/PolySilicon/Mo/SiN/CF內(nèi)雜質(zhì)等 |
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精度 |
最小可加工精度1*1um(配置100X鏡頭時(shí)) |
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冷卻方式 |
可選擇風(fēng)冷激光或水冷激光 |
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點(diǎn)針規(guī)格 |
X-Y-Z行程 |
12mm-12mm-12mm/8mm-8mm-8mm |
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機(jī)械精度 |
2微米/0.7微米/0.1微米 |
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漏電精度 |
同軸1pA/V@25℃;三軸100fA/V@25℃;三軸10pA@3kv@25°C, |
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接口形式 |
香蕉頭/鱷魚(yú)夾/同軸/叁軸接口 |
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可選附件 |
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卡盤(pán)快速拉出裝置 |
卡盤(pán)快速拉出裝置 |
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液晶熱點(diǎn)偵測(cè)套裝 |
液晶熱點(diǎn)偵測(cè)套裝 |
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高壓/大電流測(cè)試套裝 |
高壓/大電流測(cè)試套裝 |
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加熱臺(tái) |
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屏蔽箱 |
屏蔽箱 |
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轉(zhuǎn)接頭 |
轉(zhuǎn)接頭 |
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防震臺(tái) |
防震臺(tái) |
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鍍金卡盤(pán) |
鍍金卡盤(pán) |
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同軸叁軸卡盤(pán) |
同軸叁軸卡盤(pán) |
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樣品臺(tái)快速升降,微調(diào)升降裝置選件 |
/ |
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光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試選件 |
光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試選件 |
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射頻測(cè)試附件 |
射頻測(cè)試附件 |
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有源探頭 |
有源探頭 |
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低電流/電容測(cè)試 |
低電流/電容測(cè)試 |
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光纖夾具耦合測(cè)試選件 |
光纖夾具耦合測(cè)試選件 |
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封裝器件夾具 |
封裝器件夾具 |
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PCB/封裝夾具測(cè)試選件 |
PCB/封裝夾具測(cè)試選件 |
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特殊定制 |
特殊定制 |
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應(yīng)用方向 |
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常溫和高低溫環(huán)境下的芯片失效分析 |
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特點(diǎn) |
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失效分析實(shí)驗(yàn)室專(zhuān)用 |
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大手柄驅(qū)動(dòng),操作舒適,無(wú)回程差設(shè)計(jì),定位準(zhǔn)確 |
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可做LC液晶熱點(diǎn)偵測(cè) |
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激光最小可加工精度1*1um |
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激光可選擇性去除特定材料而不損傷下層 |
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芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測(cè)試 |
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適用于IC/面板內(nèi)部線路修改/去層 |
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射頻特性器件失效分析 |
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可升級(jí)用于12英寸以內(nèi)樣品測(cè)試 |
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材料/器件的IV/CV特性測(cè)試及失效分析 |
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