技術(shù)指標(biāo)\型號(hào)名稱 | DSi200紫敏硅探測(cè)器 | DSi300藍(lán)光增強(qiáng)型硅探測(cè)器 | |||||||
進(jìn)口紫外增強(qiáng)型 | 進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型 | ||||||||
有效接收面積(mm2) | 100(Φ11.28) | 100(Φ11.28) | |||||||
波長(zhǎng)使用范圍(nm) | 200-1100 | 350-1100 | |||||||
峰值波長(zhǎng)(nm),典型值 | 820nm | 970nm | |||||||
峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) | |||||||
典型波長(zhǎng)的響應(yīng)度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm | |||||||
響應(yīng)時(shí)間(μs) | 5.9 | 2 | |||||||
工作溫度范圍(℃) | -10~+60 | -10~+60 | |||||||
儲(chǔ)存溫度范圍(℃) | -20~+70 | -20~+70 | |||||||
分流電阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) | |||||||
等效噪聲功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 | |||||||
*大操作電流(mA@0Vbias) | 0.1 | 10 | |||||||
結(jié)電容(pf@0Vbias) | 4500 | 8800 | |||||||
信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 | |||||||
輸出信號(hào)極性 | 正(P) | 正(P) |